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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제14권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
95 - 100 (6page)

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This paper reports a potential problem in the electrical performance of the silicide film to silicon contacts withrespect to the scaling trend in integrated circuit (IC) devices. The effects of elastic strain on the aglomeration of thecoherent silicide film embedded in an infinite matrix are studied employing continuum linear elasticity and finite-differencenumerical method. The interface atomic difusion is taken to be the dominant transport mechanism where both capilarityand elastic strain are considered for the driving forces. Under plane strain condition with elasticaly homogeneous andanisotropic system with cubic symetry, the dilatational misfit and the tetragonal misfit in the direction parallel to the filmthickness are considered. The numerical results on the shape evolution agree with the known trend that the equilibriumaspect ratio of the film increases with the elastic strain intensity. When the elastic strain intensity is taken to be only afunction of the film size, the flat film morphology with a large aspect ratio becomes increasingly unstable since theequilibrium aspect ratio decreases, as the film scales. The shape evolution results in a large decrease in contact to siliconarea, and may deteriorate the electrical performances.

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