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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
149 - 154 (6page)

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궁극적으로 게이트를 저저항 복합 실리사이드로 대체하는 가능성을 확인하기 위해 70nm 두께의 폴리실리콘 위에 각 20nm의 Ni, Co를 열증착기로 적층순서를 달리하여 poly/Ni/Co, poly/Co/Ni 구조를 만들었다. 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드화 열처리를 40초간 700~1100oC 범위에서 실시하였다. 복합 실리사이드의 온도별 전기저항변화, 두께변화, 표면조도변화를 각각 사점전기저항측정기와 광발산주사전자현미경, 주사탐침현미경으로 확인하였다. 적층순서와 관계없이 폴리실리콘으로부터 제조된 복합실리사이드는 800oC 이상부터 급격한 고저항을 보이고, 두께도 급격히 얇아졌다. 두께의 감소는 기존의 단결정에서는 없던 현상으로 폴리실리콘의 두께가 한정된 경우 금속성분의 inversion 현상이 커서 폴리실리콘이 오히려 실리사이드 상부에 위치하여 제거되기 때문이라고 생각되었고 1000oC 이상에서는 실리사이드가 형성되지 못하였다. 이러한 결과는 나노급 두께의 게이트를 저저항 실리사이드로 만들기 위해서는 inversion과 두께감소를 고려하여야 함을 의미하였다.
#Ni/Co composite silicide #gate silicide #silicides #salicide #gate oxide

목차

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참고문헌 (4)

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/ 1996 / Formation and stability of silicides on polycrystalline silicon 16 : 43 ~ google schola / 2001 / the international technology roadmap for semiconductors google schola / 2003 / D.-L. Kwong 22 (9) : 444 ~ google schola / 2004 / Characterization of Composite Silicide obtained from NiCo-Alloy Films 14 (12) : 846 ~ google schola

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