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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제16권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
240 - 245 (6page)

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AlN thin film for SAW filter application was deposited on (100) silicon, sapphire, Si3N4/Si, and Al2O3/Si substratesby reactive magnetron sputtering method, respectively. The structural characteristics were dependent on the structure ofsubstrates. Scanning Electron Microscope (SEM), X-ray Difraction (XRD) and Atomic Force Microscope (AFM) havebeen used to analyze structural properties and prefered orientation of AlN thin films. Prefered orientation and SAWcharacteristic of AlN were improved by insertion of Al2O3 bufer layer. Insertion loss of SAW devices using AlN/Si andAlN/Al2O3/Si were about 33.27 dB and 30.20 dB, respectively.
#AlN thin film #SAW filter #Al2O3 buffer layer #reactive magnetron sputter

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참고문헌 (14)

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/ 1989. / “Surface acoustic waves for signal processing” google schola / 1993. / “The SAW characteristics of sputtered aluminum nitride on silicon” : 267 ~ 271 google schola / 1993. / “The effect of an SiO2 buffer layer on the SAW properties of ZnO/SiO2/GaAs structure” 40 : 642 ~ 647 google schola / 1995. / “The structural and acoustic properties of sputtered aluminum nitride on silicon” : 543 ~ 546 google schola / 1996. / Surface acoustic wave properties of ZnO/DLC/Si(100) multilayer structure : 317 ~ 320 google schola

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