A Study on the Fabrication and Structural Evaluation of AlN Thin Films

Han, Seung-Oh; Han, Chang-Suk

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자료유형: 학술저널

저자정보: Han, Seung-Oh (Institute of Fusion Technology, Hoseo University) Han, Chang-Suk (Dept. of Defense Science & Technology, Hoseo University)

저널정보: 한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제23권 제2호

발행연도: 2010.1

수록면: 69 - 74 (6page)

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AlN thin films were deposited by using a two-facing-targets type sputtering system (TFTS), and their deposition characteristics, microstructure and texture were investigated. Total gas pressure was kept constant at 0.4 Pa and the partial pressures of nitrogen, $PN_2$ (($N_2$ pressure)/($Ar+N_2$ pressure)) varied from 0 to 0.4 Pa. The texture of the film cross-sections and surface morphology were observed by field emission scanning electron microscope (FE-SEM). The crystallographic orientation of the films were analyzed by X-ray diffraction (XRD). Deposition of AlN film depends on $N_2$ partial pressure. The best preferred oriented AlN thin films can be deposited at a nitrogen partial pressure of $PN_2$ = 0.52. As-deposited AlN films show preferred orientation and columnar structure, and the grAlN size of AlN films increases with increasing sputtering current.

#Two-facing-targets type sputtering system #TFTS) #AlN thin films #Preferred orientation #Columnar structure

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이 논문의 저자 정보

Han, Seung-Oh

소속기관 Institute of Fusion Technology, Hoseo University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 금속공학

논문수 8 이용수 7

한창석

소속기관 Dept. of Defense Science & Technology, Hoseo University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 금속공학

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