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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제8호
발행연도
2006.1
수록면
712 - 716 (5page)

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NiCr thin films prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by magnetron co-sputtering technique and then annealed in a vacuum ambient (3 x 10-6 Torr) at 400 oC. The grain size and crystallinity of the films increased with film thickness. The resistivity of the films slightly decreases as the film thickness increases. Temperature coefficient resistance (TCR) exhibits positive values irrespective of film thickness and TCR in the range of 50 to 400 nm thickness shows suitable values for the application of 10 dB in π- type attenuators.
#NiCr films #TCR #Sputtering #Resistivity

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