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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제8호
발행연도
2007.1
수록면
701 - 705 (5page)

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The incorporation of N in a-C film is able to improve the friction coefficient and the adhesion to various substrates. In this study, a-C:N films were deposited on Si and steel substrates by closed-field unbalanced magnetron (CFUBM) sputtering system in Ar/N2 plasma. The lubricant characteristics was investigated for a-C:N deposited with total working pressure from 4 to 7 mTorr. We obtained high hardness up to 24 GPa, friction coefficient lower than 0.1 and the smooth surface of having the extremely low roughness (0.16 nm). The physcial properties of a-C:N thin film are related to the increase of cross-linked sp2 bonding clusters in the film. However, the decrease of hardness, elastic modulus and the increase of surface roughness, friction coefficient with the increase of N2 partial pressrue might be due to the effect of energetic ions as a result of the increase of ion bombardment with the increase of ion density in the plasma.

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