비대칭 마그네트론 스퍼터링법으로 성장된 a-C:H 의 물리적 특성

홍병유; 박용섭

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자료유형: 학술저널

저자정보: 홍병유 박용섭

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제3호

발행연도: 2004.1

수록면: 278 - 282 (5page)

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The Hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) thin films are deposited on silicon with a close field unbalanced magnetron(CFUBM) sputtering systems. The experimental data are obtained on the depositon rate and physical properties of a-C:H films using DC bias voltage and Ar/C2H2 pressure. The depostion rate and the surface roughness decrease with DC bias voltage, but the hardness of the thin films increases with DC bias voltage. And the position of G-peak moves to lower wavenumber indicating an increase in diamond-like carbon characteristics with the lower Ar/C2H2 pressure.

#a-C:H #CFUBM sputtering #Raman #Hardness

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/ 1984. / Modeling studies of amorphous carbon 30 : 870 ~

/ 1987. / Characterization of diamondlike carbon films and their application as overcoats on thin-film media for magnetic recording : 3287 ~

/ 1995. / ECR - PECVD법으로 증착한 다이아몬드성 카본 박막의 구조와 성질에 미치는 기판 rf 바이어스의 영향 33 (1) : 99 ~

/ 1996. / Strength, fracture and friction properties of Diamond 5 : 625 ~

/ 1998. / 플라즈마 화학기상증착법으로 제작된 Diamond-like carbon 박막의 특성 11 (6) : 465 ~

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홍병유

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