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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제1호
발행연도
2004.1
수록면
27 - 30 (4page)

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In this paper, a new small size Lateral Trench Electrode Power MOSFET is proposed. This new structure, called "LTEMOSFET"(Lateral Trench Electrode Power MOSFET), is based on the conventional MOSFET. The entire electrode of LTEMOSFET is placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the proposed LTEMOSFET is improved by 1.6 times with that of the conventional MOSFET. The forward blocking voltage of LTEMOSFET is 250V. At the same size, a increase of the forward blocking voltage of about 1.6 times relative to the conventional MOSFET is observed by using TMA-MEDICI which is used for analyzing device characteristics. Because the electrodes of the proposed device are formed in trench oxide, the electric field in the device are crowded to trench oxide. We observed that the characteristics of the proposed device was improved by using TMA-MEDICI and that the fabrication of the proposed device is possible by using TMA-TSUPREM4.
#Lateral Trench Eletrode Power MOSFET #LTEMOSFET) #Trench electrode #Forward blocking voltage #Breakdown voltage #Trade-off #Voltage drop

목차

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참고문헌 (4)

참고문헌 신청
/ 1999. / A new lateral trench-gate conductivity modulated power transistor 46 (8) : 1778 ~ google schola / 2000. / 래치 업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT 13 (5) : 371 ~ google schola / 2001. / A novel EST with trench electrode to immunize Snab-back effect and to obtain high blocking voltage 2 (3) : 33 ~ google schola / 2001. / Simulation of a novel lateral trench electrode IGBT with improved latch-up and forward blocking characteristics 2 (1) : 32 ~ google schola

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