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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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Dry etch characteristics of polysilicon with HBr/O2 inductively coupled plasma (ICP) have been investigated. We determined etch rate, uniformity, etch profiles, and selectivity with analyzing the cross-sectional scanning electron microscopy images obtained from top, center, bottom, right, and left positions. The etch rate of polysilicon was about 2500 Å/min, which meets with the mass production for devices. The wafer level etch uniformity was within ±5 %. Etch profile showed 90° slopes without notches. The selectivity over photoresist was between 2:1～4.5:1, depending on O2 flow rate. The HBr-ICP etching showed higher PR selectivity, and sharper profile than the conventional Cl2-RIE.
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/ 1996. / Dry etching of polysilicon with high selectivity using a chlorine-based plasma in an ECR reactor 45 : 22 ~
/ 1996. / Influence of the nature of the mask on polysilicon gate patterning in high density plasma : 333 ~
/ 1998. / Highly Anistropic Silicon and Polysilicon Room-Temperature Etching using Fluorine-based High Density Plasmas 41 : 411 ~
/ 1998. / 클로로포름(CHCl3)을 첨가한 고동노 폴리실리콘 이방성 식각 기술 11 (2) : 101 ~
/ 1999. / 실리콘 게이트 식각시 산소 가스 첨가 효과 : 87 ~
/ 1996. / Influence of the nature of the mask on polysilicon gate patterning in high density plasma : 333 ~
/ 1998. / Highly Anistropic Silicon and Polysilicon Room-Temperature Etching using Fluorine-based High Density Plasmas 41 : 411 ~
/ 1998. / 클로로포름(CHCl3)을 첨가한 고동노 폴리실리콘 이방성 식각 기술 11 (2) : 101 ~
/ 1999. / 실리콘 게이트 식각시 산소 가스 첨가 효과 : 87 ~
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