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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
272 - 277 (6page)

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The primary aim of this study is to investigate new semi-abrasive free slurry including acid colloidal silica and hydrogen peroxide for copper chemical-mechanical planarization (CMP). In general, slurry for copper CMP consists of colloidal silica as an abrasive, organic acid as a complex-forming agent, hydrogen peroxide as an oxidizing agent, a film forming agent, a pH control agent and several additives. We developed new semi-abrasive free slurry (SAFS) including below 0.5% acid colloidal silica. We evaluated additives as stabilizers for hydrogen peroxide as well as accelerators in tantalum nitride CMP process. We also estimated dispersion stability and Zeta potential of the acid colloidal silica with additives. The extent of enhancement in tantalum nitride CMP was verified through anelectrochemical test. This approach may be useful for the application of single and first step copper CMP slurry with one package system.
#Semi Abrasive Free Slurry #Chemical Mechanical Planarization #Copper #Acid Colloidal Silica

목차

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참고문헌 (13)

참고문헌 신청
/ 1993. / Copper-based metallization for ULSI application 18 (6) : 18 ~ google schola / 1995. / Copper interconnection integration and reliability 262 : 84 ~ google schola / 1997. / Chemical mechanical planariza- tion of microelectronic materials : 142 ~ google schola / 1997. / The role of the quantum dispersion in the coulomb correction of Bose-Einstein correlations 415 : 411 ~ google schola / 1998. / 공정을 이용한 Mutilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구 11 (12) : 1084 ~ google schola

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