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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 895 - 896 (2page)
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Mobility in SiGe dual hetero-structure consisting of a strained SiGe buried layer with high Ge content and a strained Si cap on a relaxed SiGe buffer layer is studied. It is found that the hole mobility is increased with Ge content in the buried SiGe channel at the same strain condition. From the device point of view, the thres ... 전체 초록 보기
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