Flexible Display용 Low Temp Process를 이용한 ZnO TFT의 제작 및 특성 평가

김영수; 이희덕; 이가원; 남동호; 최광일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김영수 이희덕 이가원 남동호 최광일

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제10호

발행연도: 2009.1

수록면: 821 - 825 (5page)

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Recently, transparent ZnO-based TFTs have attracted much attention for flexible displays because they can be fabricated on plastic substrates at low temperature. We report the fabrication and characteristics of ZnO TFTs having different channel thicknesses deposited at low temperature. The ZnO films were deposited as active channel layer on Si3N4/Ti/SiO2/p-Si substrates by RF magnetron sputtering at 100℃ without additional annealing. Also, the ZnO thin films deposited at oxygen partial pressures of 40%. ZnO TFTs using a bottom-gate configuration were investigated. The Si3N4 film was deposited as gate insulator by PE-CVD at 150℃. All Processes were processed below 150℃ which is optimal temperature for flexible display and were used dry etching method. The fabricated devices have different threshold slop, field effect mobility and subthreshold slop according to channel thickness. This characteristics are related with ZnO crystal properties analyzed with XRD and SPM. Electrical characteristics of 60 ㎚ ZnO TFT (W/L = 20 ㎛/20 ㎛) exhibited a field-effect mobility of 0.26㎠/Vs, a threshold voltage of 8.3 V, a subthreshold slop of 2.2 V/decade, and a ION/OFF ratio of 7.5 x 102.

#ZnO #TFT #Flexible #Low temp process

참고문헌 (11)

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B. Y. Oh / 2007 / Effects of the channel thickness on the structural and electrical characteristics of room-temperature fabricated ZnO thin-film transistors / Semicond. Sci.

Bae H. S. / 2003 / Photodetecting properties of ZnO-based thin-film transistors / Appl. Phys. Lett. 83 (25) : 5313 ~

C. R. Gorla / 1999 / Structural,optical,and surface acoustic wave properties of epitaxial ZnO films / J. Appl. Phys. 85 (5) : 2596 ~

R. L. Hoffman / 2003 / ZnO-based transparent thin-film transistors / Appl. Phys. Lett. 82 (5) : 735 ~

S. Kishimoto / 2006 / Dependence of electrical and structural properties on film thickness of undoped ZnO thin films prepared by plasma-assisted electron beam deposition / S

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