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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제1호
발행연도
2003.1
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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2003

고상 결정화로 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서의 열화특성 분석
정은식 ,  이용재 전기전자재료학회논문지 2003.01 학술저널

2002

LDD 구조를 가진 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서의 열화 특성의 분석
정은식 ,  배지철 ,  정연식 외 1명 한국통신학회 학술대회논문집 2002.11 학술대회자료
LDD 구조를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 신뢰성 향상
정은식 ,  장원수 ,  배지철 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2002.06 학술대회자료

2001

다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 스트레스에 의한 출력과 전달특성 분석
정은식 ,  안점영 ,  이용재 대한전자공학회 학술대회 2001.06 학술대회자료

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The n-channel poly-Si thin-film transistors (poly-Si TFT's) formed by solid phase crystallization (SPC) method on glass were measured to obtain the electrical parameters such as of I-V characteristics, mobility, leakage current, threshold voltage, and subthreshold slope. Then, devices were analyzed to obtain the reliability and appliability on TFT-LCD with large-size and high density. In n-channel poly-Si TFT with 5㎛/2㎛, 8㎛, 30㎛ devices of channel width/length, the field effect mobilities are 111, 116, 125 cm2/V-s and leakage currents are 0.6, 0.1, and 0.02 pA/㎛, respectively. Low threshold voltage and subthreshold slope, and good ON-OFF ratio are shown, as well. Thus, the poly-Si TFT's used by SPC are expected to be applied on TFT-LCD with large-size and high density, which can integrate the display panel and peripheral circuit on a large glass substrate.
#Leakage current1. 서 론攀동의대학교 전자공학과 #614-714 부산시 진구 가야동 #Fax : 890-1674 Corresponding Author : yjlee@dongeui.ac.kr)2002년 5월 31일 접수 #2002년 7월 23일 1차 심사완료 #2002년 9월 4일 최종 심사완료 #SPC #Poly-Si TFT #Electrical parameter

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