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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제5호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 267 - 270 (4page)
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The Indium tin oxide (ITO) films were deposited on CR39 substrate using DC magnetron sputtering. ITO thin films deposited at room temperature because CR39 substrates its glass-transition temperature of is 130 ℃. ITO thin films used bottom and top electrode and for organic thin film transparent transistor.(OTFT) ITO thin film electrodes electrical properties and optical transparency properties in the visible wavelength range (300 – 800 nm) strongly dependent on volume of oxygen percent. For the optimum resistivity and transparency of ITO thin film electrode achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85 % transparency in the visible wavelength range (300 – 800 nm) measured without post annealing process and 9.83ⅹ10-4 Ωcm a low resistivity was measured thickness of 300 nm.
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/ 1986 / Theoretical model for the optical properties of In2O3 Sn films in the 0.3?50 ？m range 14 : 3 241 ~ 5
/ 1996 / Preparation and electrical properties of ITO thin films by dip-coating process 31 : 1761 ~
/ 1998. / Study of Indium Tin Oxide (ITO) for Novel Optoelectronic Devices : 50 ~
/ 2000 / Energy transfer and white emitting organic thin film electroluminescence 363 : 61 ~
/ 2001. / ITO thin films deposited by RTE on flexible transparent substrates 17 : 287 ~
/ 1996 / Preparation and electrical properties of ITO thin films by dip-coating process 31 : 1761 ~
/ 1998. / Study of Indium Tin Oxide (ITO) for Novel Optoelectronic Devices : 50 ~
/ 2000 / Energy transfer and white emitting organic thin film electroluminescence 363 : 61 ~
/ 2001. / ITO thin films deposited by RTE on flexible transparent substrates 17 : 287 ~
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