ITO 투과율 향상을 위한 Buffer층 설계에 관한 연구

기현철; 이정빈; 김상기; 홍경진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 기현철 이정빈 김상기 홍경진

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제1호

발행연도: 2010.1

수록면: 24 - 28 (5page)

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We have proposed an Buffer layer to improve the transmittance of ITO. Here, SiO2 and TiO2 were selected as the Buffer layer coating material. The structures of Buffer layer were designed in ITO/SiO2/TiO2/Glass and ITO/Glass/TiO2/SiO2. Then, these materials were deposited by ion-assisted deposition system. Transmittances of deposited ITO were 86.14 and 85.07%, respectively. These results show that the proposed structure has higher transmittance than the conventional ITO device.

#ITOI #Indium tin oxide) #Buffer layer #Transmittance #IAD #Ion-assisted deposition)

참고문헌 (10)

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D. Lu / 2003 / Surface treatment of indium tin oxide by oxygen-plasma for organic light- emitting diodes / Mater. Sci. Eng. B, 97 : 141 ~

H. K. Pulker / 1988 / Modern optical coating technologies / Proc. SPIE : 138 ~

Ho P. K. H / 1998 / Ultrathin self-assembled layers at the ITO interface to control charge injection and electroluminescence efficiency in polymer light-emitting diodes / Adv

J. S. Kim / 1998 / Indium-tin oxide treatment for single-and double-layer polymeric light-emitting diodes / J. Appl. Phys 84 (12) : 6859 ~

P. K. H. Ho / 2000 / Molecular-scale interface engineering for polymer light-emitting diodes / Nature 404 : 481 ~

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