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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제2호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 53 - 57 (5page)
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In this paper, a Symmetric Dual-gate Single-Si TFT, which includes three split floating n+ zones, is simulated. This structure drastically reduces the kink-effect and improves the on-current. This is due to the separated floating n+ zones, the transistor channel region is split into four zones with different lengths defined by a floating n+ region. This structure allows effective reduction in the kink-effect, depending on the length of the two sub-channels. The on-current of the proposed dual-gate structure is 0.9 mA, while that of the conventional dual-gate structure is 0.5 mA, at both 12 V drain and 7 V gate voltages. This result shows an 80 % enhancement in on-current. In addition, the reduction of electric field in the channel region compared to a conventional single-gate TFT and the reduction of the output conductance in the saturation region, is observed. In addition, the reduction in hole concentration, in the channel region, in order for effectively reducing the kink-effect, is also confirmed.
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/ 2004. / Novel 3-dimensional 46 F2 SRAM technology with 0.294 um2 S3 : 21 ~
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