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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.11
- 수록면
- 15 - 21 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2019.56.11.15
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2021
2019
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Body contact(BCT)된 high resistivity(HR) partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) nMOSFET의 kink effect를 floating body 소자와 비교하여 물리적으로 분석하고 geometry 종속 현상을 연구하였다. 먼저, 높은 drain 전압에서 channel과 collector 전류가 크게 증가하여 발생된 kink effect를 impact-ionization hole 전류원, 기생 BJT 및 접지된 body 저항을 포함한 등가회로를 사용하여 물리적으로 분석하고, emitter junction이 turn-on 되면서 전류 증가율이 크게 감소하는 원인을 파악하였다. 이러한 물리적 분석 결과들은 외부 body 전압을 가하여 drain 전류를 측정함으로써 실험적으로 검증하였다. 또한 BCT PD-SOI nMOSFET에서 W/L의 증가에 따라 kink가 시작되는 drain 전압이 감소하는 geometry 종속 kink effect를 물리적 수식을 통해 분석하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론적 분석
Ⅲ. 실험적 분석
Ⅳ. Geometry 효과 분석
Ⅴ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
M. -S. Han / 1998 / A Study on the Reduction of Current Kink Effect in NMOSFET SOI Device / Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea – T 35(2):6~12
M. Kaifi / 2011 / Kink model for SOI MOSFET / Proc. Int. Conf. on Multimedia, Signal Processing and Communication Technologies :17~19
S. S. Chen / 1997 / An analytical CAD kink effect model of partially-depleted SOI NMOS devices operating in strong inversion / Solid-State Electron 41(3):447~458
M. Sarajlic / 2006 / Analytical Modeling of the Triggering Drain Voltage at the Onset of the Kink Effect for PD SOI NMOS / Int. Conf. on Microelectornics :325~328
S. C. Lin / 1999 / Temperaturedependent kink effect model for partiallydepleted SOI NMOS devices / IEEE Trans. Electron Devices 46(1):254~258
M. Kaifi / 2011 / Kink model for SOI MOSFET / Proc. Int. Conf. on Multimedia, Signal Processing and Communication Technologies :17~19
S. S. Chen / 1997 / An analytical CAD kink effect model of partially-depleted SOI NMOS devices operating in strong inversion / Solid-State Electron 41(3):447~458
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