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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제3호
발행연도
2005.1
수록면
253 - 258 (6page)

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This paper presents characteristics of CrOx thin-film, which were deposited on Al2O3 wafer by DC reactive magnetron sputtering in an argon-oxide atmosphere for high temperature applications. The present paper deals with a study of the technological characteristics of thin film resistors to provide a control in obtaining temperature coefficients of resistance of given value. The optimized condition of CrOx thin-film were thickness range of 2500 Å and annealing condition(350 ℃, 1 hr) in oxide partial pressure(3.5×10-4 torr). Under optimum conditions, the CrOx thin-films is obtained a high resistivity, ρ=340 μΩ㎝, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-55 ppm/℃. The CrOx thin films resistors which were fabricated in this paper had excellent characteristics as high precision resistors.
#CrOx thin-film resistors #Temperture coefficient of resistance #High precision resistors

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참고문헌 (10)

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/ 1979. / The elec- trical and compositional structure of thin Ni-Cr films 57 (2) : 343 ~ google schola / 1984. / D. C. sputtering of Ni-Cr thin film resistors : 374 ~ google schola / 1986. / Electrical pro- perties and structural defects of Ni-Cr thin films 139 (1) : 15 ~ google schola / 1990. / Elements of X-Ray Diffrac- tion : 346 ~ google schola / 1991. / N films prepared by reactive sputtering 240 : 238 ~ google schola

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