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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제6호
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2002.1
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We have fabricated Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT) thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates using a metalorganic decomposition (MOD) method with annealing temperature from 550 ℃ to 750 ℃. The structural properties of BLT films examined by x-ray diffraction (XRD). From XRD analysis, BLT thin films show polycrystalline structure. The layered-perovskite phase was obtained by spin-on films at above 600 ℃ for 1h. Scanning electron microscopy (SEM) showed uniform surface composed of rodlike grains. The grain size of BLT films increased with increasing annealing temperature. The BLT film annealed at 650 ℃ was measured to have a dielectric constant of 279, dielectric loss of 1.85[%], remanent polarization of 25.66 μC/cm2, and coercive field of 84.75 kV/cm. The BLT thin films showed little polarization fatigue test up to 3.5×109 bipolar cycling at 5 V and 100 kHz.

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