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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 전기물성·응용부문회 2006 추계학술대회 논문집
발행연도
2006.10
수록면
101 - 102 (2page)

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PZT thin films, which are the representative ferroelectric materials in ferroelectric random access memory (FRAM), have some serious problem such as the imprint, retention and fatigue which ferroelectric properties are degraded by repetitive polarization. BLT thin film capacitors were fabricated by plasma etching, however, the plasma etching of BLT thin film was known to be very difficult. In our previous study, the ferroelectric materials such as P ... 전체 초록 보기

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