플라즈마 화학증착법으로 제작한 미세결정질 실리콘 박막 특성에 관한 연구

이호년; 이종하; 이병욱; 김창교

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이호년 이종하 이병욱 김창교

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제9호

발행연도: 2008.1

수록면: 848 - 852 (5page)

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Characteristics of microcrystalline-silicon thin-films deposited by plasma-enhanced chemical-vapor deposition (PECVD) method were studied. There were optimum values of RF power density and H2 dilution ratio (H₂/(SiH₄+H₂)); maximum grain size of about 35 nm was obtained at substrate temperature of 250 ℃ with RF power density of 1.1 W/㎠ and H₂ dilution ratio of 0.91. Larger grain was obtained with higher substrate temperature up to 350 ℃. Grain size dependence on RF power density and H₂ dilution ratio could be explained by etching effects of hydrogen ions and changes of species of reactive precursors on growing surface. Surface-mobility activation of reactive precursors by temperature could be a reason of grain-size dependence on the substrate temperature. Microcrystalline- silicon thin-films that could be used for flat-panel electronics such as active-matrix organic-light- emitting-diodes are expected to be fabricated successfully using these results.

#Microcrystalline-silicon #PECVD #RF power #Hydrogen dilution

참고문헌 (6)

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A. Matsuda / 1983 / Formation kinetics and control of microcrystallite in μc-Si:H from glow discharge plasma / Journal of Non- Crystalline Solids 59;60 : 767 ~

H. Miyashita / 1994 / Dependence of thin film transistor characteristics on the deposition conditions of silicon nitride and amorphous silicon / IEEE Transactions on Electron

K. Kandoussi / 2006 / Improved microcrystalline silicon TFTs / Journal of Non-Crystalline Solids 353 : 1728 ~

S. Ferrero / 2001 / Large area microcrystalline silicon films grown by ECR-CVD / Thin Solid Films 383 : 181 ~

T. Karakawa / 2008 / Nucleation study of hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films deposited by VHF-ICP / Thin Solid Films 56 : 3497 ~

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