태양전지용 미세 결정 실리콘(μc - Si:H) 박막의 고속 저온 증착 및 특성분석

A great effort and interest have been devoted to the deposition of device quality polycrystalline thin film on low cost substrate such as glass or metal sheet for solar cell applications. The polycrystalline(or microcrystalline) Si solar cells are one of the most promising solar cells due to their stable operation properties(no Steabler-Wronski effect) and high conversion efficiency compared to amorphous silicon cells.
This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon(μc-Si:H) films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below 300℃. By changing preparation conditions, it was possible to control deposition rates from 0.3㎚/see to 3.5㎚/sec. The structural, electronic properties and hydrogen bonding configurations are also discussed with the different SiH₄ flow and H₂ dilution conditions.

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