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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 120 - 124 (5page)
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In this work, MOS capacitors were used to study the electrical properties of Mo gate electrode deposited on ZrO2. The workfunctions of Mo gate extracted from C-V curves were appropriate for PMOS. Thermal stability of Mo metal was investigated by analyzing the variations of workfunction and EOT(effective oxide thickness) after 600, 700, and 800 ℃ RTA(rapid thermal annealing). It was found that Mo gate was stable up to 800 ℃ with underlying ZrO2. The resistivities of Mo were 35 μΩ㎝～75 μΩ㎝. These values are lower than those of heavily doped polysilicon. Based on these measurements, it can be concluded that Mo metal gate with ZrO2 gate insulator is an excellent gate material for PMOS.
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/ / IBM Journal of Research and Developement : 2451999 ~
/ 1991. / Thermal stability of polysilicon resistors : 537 ~
/ 1994. / Al2O3 절연막의 형성과 그 활용방안에 대한 연구 7 (1) : 57 ~
/ 1996. / Al2O3가 첨가된 ZnO의 전기적 특성 9 (6) : 572 ~
/ 2001. / Properties of Ru-Ta alloys as gate electrodes for NMOS and PMOS silicon devices : 467 ~
/ 1991. / Thermal stability of polysilicon resistors : 537 ~
/ 1994. / Al2O3 절연막의 형성과 그 활용방안에 대한 연구 7 (1) : 57 ~
/ 1996. / Al2O3가 첨가된 ZnO의 전기적 특성 9 (6) : 572 ~
/ 2001. / Properties of Ru-Ta alloys as gate electrodes for NMOS and PMOS silicon devices : 467 ~
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