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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제11호
발행연도
2005.1
수록면
983 - 989 (7page)

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PZT(Pb(Zr,Ti)O3) thin films were deposited by multi-target reactive sputtering method on RuO2 substrates. Pure perovskite phase PZT films could be obtained by introducing Ti-oxide seed layer on the RuO2 substrates prior to PZT film deposition. The PZT films deposited on the RuO2 substrates showed highly voltage-shifted hysteresis loop compared with the films deposited on the Pt substrates. The surface of RuO2 substrate was found to be reduced to metallic Ru in vacuum at elevated temperature, which caused the formation of oxygen vacancies at the initial stage of PZT film deposition and gave rise to the voltage shift in the P-E hysteresis loop of the PZT capacitor. The fatigue characteristics of the PZT capacitors under unipolar wave electric field were different from those under bipolar wave. The fatigue test under unipolar wave showed the increase of polarization. It was thought that the ferroelectric domains which had been pinned by charged defects such as oxygen vacancies and the charged defects were reduced in number by combining with the electrons injected from the electrode under unipolar wave, resulting in the relaxation of the ferroelectric domains and the increase of polarization.
#PZT #RuO2 #Polarization hysteresis loop #Fatigue #Ti-oxide seed

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참고문헌 (10)

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/ 1992. / Crystallization of sputtered lead zirconate titanate films by rapid thermal processing 71 (2) : 864 ~ google schola / 1993. / Film thickness dependence of dielectric property and crystal structure of PbTiO3 film prepared on Pt/SiO2/Si substrate by metal organic chemical vapor deposition 32 google schola / 1993. / Preparation of Pb O3 thin films by multi-target sputtering 32 : 4061 ~ google schola / 1994. / Effects of electrodes on the phase evolution and microstructure of Pb 152 : 85 ~ google schola / 1994. / Preparation of Pb O3 thin films on Ir and IrO2 electrodes 33 : 5207 ~ google schola

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