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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제8호
발행연도
2005.1
수록면
708 - 713 (6page)

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An alumina membrane with nano-sized pore array by anodic oxidation using the thin film aluminum deposited on silicon wafer was fabricated. It is important that the sample prepared by metal deposition method has a flat aluminum surface and a good adhesion between the silicon wafer and the thin film aluminum. The oxidation time was controlled by observation of current variation. While the oxalic acid with 0.2 M was used for low voltage anodization under 100 V, the chromic acid with 0.1 M was used for high voltage anodization over 100 V. The nano-sized pores with diameter of 60～120 nm was obtained by low voltage anodization of 40～80 V and those of 200～300 nm was obtained by high voltage anodization of 140～200 V. The pore widening process was employed for obtaining the one-channel with flat surface because the pores of the alumina membrane prepared by the fixed voltage method shows the structure of two-channel with rough surface. Finally, the sample was immersed to the phosphoric acid with 0.1 M concentration to etching the barrier layer.
#Anodic oxidation #Aluminum #Alumina membrane #Phosphoric-acid #Pore widening

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참고문헌 (10)

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/ 1989. / 알루미늄의 양극산화 피막 형성의 이론과 응용 2 (2) : 102 ~ google schola / 1997. / Gas permeation characteristics of microporous alumina membrane prepared by anodic oxidation 10 : 212 ~ google schola / 1998. / 양극산화에 의한 다공성 알루미나 막의 제조시 전해질의 영향 9 (7) : 1047 ~ google schola / 1999. / Fabrication of 0.1 ㎛ gate aperture Mo-tip field-emitter arrays using interferometric lithography 74 (20) : 3050 ~ google schola / 1999. / Highly-ordered carbon nanotube arrays for electronics applications 75 (3) : 367 ~ google schola

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