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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
153 - 157 (5page)

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ITO thin films were deposited on PET and soda-lime glass substrates by a dc reactive magnetron sputtering of In-Sn alloy metal target without substrate heater and post-deposition thermal treatment. The dependency of rf-bias voltage and substrate power during deposition processing was investigated to control the electrical and optical properties of ITO films. The range of rf bias voltage is from 0 to -80 V and the substrate power is applied from 10 to 50 W. The minimum resistivity of ITO film is 5.4×10-4 Ωcm at 50 W power and rf-bias voltage of –20 V. The best transmittance of ITO films at 550 nm wavelength is 91 % in the substrate power of 30 W and rf-bias voltage of –80 V.
#Indium tin oxide #ITO) #RF-bias voltage #Substrate power #In-Sn alloy target #Magnetron sputtering

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참고문헌 (11)

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/ / Rf bias effect of ITO films reactively sputtered on PET substrates at room temperature google schola / 1993. / RF magnetron sputtered indium-tin-oxide film on reactive ion etched acrylic substrate 229 (146) : 146 ~ google schola / 1994. / Effects of magnetic field gradient on crystallographic properties in tin-doped indium oxide films deposited by electron cyclotron re- sonance plasma sputtering 33 : google schola / 1995. / Physics of very thin ITO conducting films with high transparency prepared by dc magnetron sputteing 270 : 37 ~ google schola / 1997. / Depth profiling of oxygen content of indium tin oxide fabricated by bias sputtering 113 : 408 ~ google schola

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