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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 429 - 436 (8page)
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In this study, we investigated the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by changing in the thickness of 1<SUP>st</SUP> passivation and AlGaN layer by using TCAD simulator. As a result, RF characteristics were improved by increasing 1st passivation thickness without any significant effects in DC characteristics. In addition, when decreasing AlGaN thickness, 2-DEG density was reduced, threshold voltage was positively shifted, and breakdown voltage was slightly improved. These simulated results may be useful in designing AlGaN/GaN HEMT device structure for enhancing DC and RF characteristics.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
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