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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제1호
발행연도
1997.2
수록면
20 - 27 (8page)

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0.25 ㎛ 이하의 최소선폭을 갖는 초고집적회로에 사용할 수 있는 구리박막의 형성기술을 조사하였다. 본 실험에서는 측면박막 형성에 적합한 화학적 증착을 시도하였으며 (hfac)Cu(VTMS) (hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylsilane copper(Ⅰ))로 명명된 금속유기 화합물을 원료로 사용하였다. 구리박막의 형성은 TiN와 SiO₂ 모재 위에 이루어 졌으며, 형성 중에 모재의 온도와 증착용기 내 압력의 함수로서 집적회로 공정상 주요 변수인 박막의 비저항, 박막의 증착선택도를 측정하였다. 구리박막은 모재온도 180℃와 증착용기의 압력 0.6 Torr의 조건에서 가장 좋은 전기적 성질을 보여 주었다. 이 조건에서 형성된 구리박막은 다결정 구조를 나타내었으며 구리박막의 증착속도는 120 ㎚/min, 비저항은 2.5 μΩㆍ㎝, 평균 거칠기는 15.5 ㎚로서 0.25 ㎛ 이하 선폭의 집적회로에서 요구되는 전기적, 재료적 사양에 근접한 구리박막을 얻었다. 또한 140-250℃의 모재 온도 범위에서 TiN 모재와 SiO₂ 모재 사이에 뚜렷한 증착선택성이 관측되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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