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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.5 No.1
- 발행연도
- 2001.7
- 수록면
- 11 - 18 (8page)
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Dielectric passivation effects on the EM(electromigration) have been a great interest with recent ULSI and multilevel structure trends in thin film interconnections of a microelectronic device. SiO₂, PSG(phosphosilicate glass), and Si₃N₄ passivation materials effects on the EM resistance were investigated by utilizing widely used Al-1%Si thin film interconnections. A standard photolithography process was applied for the fabrication of 0.7 ㎛ thick, 3 ㎛ wide, and 200㎛~1600 ㎛ long Al-1%Si EM test patterns. SiO₂, PSG, and Si₃N₄ dielectric passivation with the thickness of 300 ㎚ were singly deposited onto the Al-1%Si thin film interconnections by using an APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition) and a PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) in order to investigate the passivation materials effects on the EM characteristics. EM tests were performed at the direct current densities of 3.2×10^6~4.5×10^6 A/㎤ and at the temperatures of 180 ℃, 210 ℃, 240 ℃, and 270 ℃ for measuring the activation energies(Q) and for accelerated test conditions. Activation energies were calculated from the measured MTF(mean-time-to-failure) values. The calculated activation energies for the electromigration were 0.44 eV, 0.45 eV, and 0.50 eV, and 0.66 eV for the case of nonpassivated-, Si3N4 passivated-, PSG passivated-, and SiO₂ passivated Al-1%Si thin film interconnections, respectively. Thus SiO₂ passivation showed the best characteristics on the EM resistance followed by the order of PSG, Si₃N₄, and nonpassivation. It is believed that the passivation sequences as well as the passivation materials also influence on the EM characteristics in multilevel passivation structures.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgements
References
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