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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
59 - 64 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1994

초고집적 Sub micron 박막금속화를 위한 Dielectric Overlayer의 Passivation 효과
김대일 ,  김진영 Applied Science and Convergence Technology 1994.03 학술저널

1993

Al, Al - 1%Si, Ag, Cu 박막금속화에서의 SiO₂ Passivation 효과.
김대일 ,  김진영 한국진공학회 학술발표회초록집 1993.07 학술대회자료

1992

Ag, Cu 박막금속화에서의 역 엘렉트로마이그레이션에 관한 연구
김대일 ,  김진영 한국진공학회 학술발표회초록집 1992.02 학술대회자료

초록· 키워드

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극소전자 디바이스의 고접적화와 더불어 박막배선의 선폭은 0.5 ㎛ 이하까지 축소되며 초고집적 submicron 박막금속화가 진행되고 있다. 미세화로에 적용되어지는 배선재료는 인가되는 고전류밀도로 인하여 electromigration에 의한 결함이 쉽게 발생한다는 단점이 있다. 금속박막 전도체 위의 dielectric overlayer는 electromigration에 대한 passivation 효과를 보여 극소전자 디바이스의 평균수명을 향상시킨다. 본 연구에서는 박막금속화에서 dielectric overlayer의 passivation 효과를 알아보기 위하여 약 3000 Å의 SiO₂ 절연 보호막을 1000 Å 두께의 Al, Al-1%Si, Ag, 그리고 Cu 박막배선 위에 증착하여 SiO₂ 절연 보호막의 유무에 따른 박막배선의 수명변화 및 신뢰도(σ)를 측정하였다. 박막배선에 인가된 전류밀도는 1×10^6 A/㎠와 1×10^7 A/㎠이었다. SiO₂ dielectric overlayer는 Al, Al-1%Si, Ag, Cu 박막배선에서 electromigration에 대한 보호막 효과를 보이며 평균수명을 모두 향상시킨다. SiO₂ passivation 효과는 Al, Ag, Cu 박막 중 Cu 박막배선에서 가장 크게 나다났다. SiO₂ dielectric overlayer가 형성되지 않은 경우 Al 박막배선의 수명이 가장 긴 것으로 나타났으나 SiO₂가 형성된 경우는 Cu 박막배선의 수명이 가장 길게 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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