Al - 1%Si 박막 금속화의 신뢰도 향상을 위한 연구

최재승; 김진영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최재승 김진영

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제3호

발행연도: 1992.10

수록면: 382 - 388 (7page)

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1992

Al - 1%Si 박막 금속화의 신뢰도 향상을 위한 연구

최재승 , 김진영 Applied Science and Convergence Technology 1992.10 학술저널

Al - 1%Si 박막 금속화의 신뢰성 향상을 위한 연구

최재승 , 김진영 한국진공학회 학술발표회초록집 1992.07 학술대회자료

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Electromigration은 인가된 전계하에서 발생하는 전자풍력에 의한 금속 이온의 이동 현상이며, 반도체 디바이스의 주요 결함 원인으로 보고되어 왔다. 선폭 1 ㎛의 Al-1%Si 금속 박막 전도체에 대한 electro migration 수명 실험을 위해 인가된 d.c. 전류밀도는 10 MA/㎠이었고, electromigration에 대한 활성화 에너지 측정을 위한 분위기 온도는 80℃, 100℃ 그리고 120℃ 이었다. 평균수명 및 신뢰성에 대한 보호 절연막 효과를 위해 두께 3000 Å의 SiO₂ 산화막을 sputtering 진공 증착기를 사용하여 Al-1%Si 금속 박막 전도체 위에 증착하였다. 주요 연구 결과는 다음과 같다. Al-l%Si 금속 박막 전도체의 electromigration에 대한 활성화 에너지값은 0.75eV이었고 온도가 증가함에 따라 Al-1%Si의 수명은 감소하였고 신뢰성은 향상되었다. SiO₂ 보호막은 electromigration에 대한 저항성을 크게함으로써 평균수명을 향상시켰으며, electromigration failure는 lognormal failure distribution을 갖는 것으로 나타났다.

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최재승

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Jinyoung Kim

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