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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제2호
발행연도
2001.7
수록면
213 - 218 (6page)

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분무열분해법으로 유리기판 위에 ZnO와 ZnO:In 박막을 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막은 hexagonal 구조를 이루고, 격자상수 a=3.242 Å, c=5.237 Å였고, (002) 방향으로 선택 성장되었다. In을 0~6.03 at. % 불순물로 첨가하여 성장시킨 ZnO:In 박막은 ZnO 박막의 결정구조와 같고 격자상수가 약간 증가하였다. ZnO:In 박막의 금속 이온의 비는 분무용액의 금속 이온의 비와 거의 일치하였다. ZnO:In 박막의 최소 비저항과 최대 운반자 농도는 In를 2.76 at % 불순물로 첨가하여 성장시킨 경우였는데, 그 값은 각각 19.1 Ωㆍ㎝, 2.11×10^(19) ㎝-³ 이었다. In를 3.93 at. % 불순물로 첨가하여 성장시킨 ZnO:In 박막 경우 400～800 ㎚ 영역에서의 광투과율은 95% 이상이었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 측정결과 및 고찰

4. 결론

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