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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제3호
발행연도
2001.10
수록면
368 - 373 (6page)

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N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, 375℃에서 10초 동안 열처리한 경우 5×10^(-3) Ω㎠의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 1.7×10^(-6) Ω㎠로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 425℃, 10초로 변화시킬 경우 2×10^(-6) Ω㎠의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 450℃까지도 오믹 재료와 InGaAs 의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

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