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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제4호
발행연도
2003.12
수록면
218 - 227 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (7)

2003

AlGaAs / GaAs HBT 에미터 전극용 Pd / Si계 오믹 접촉
김일호 Applied Science and Convergence Technology 2003.12 학술저널
AlGaAs/GaAs HBT 에미터 전극용 Pd/Ge계 오믹 접촉
김일호 한국재료학회지 2003.01 학술저널

2002

AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 ,  장경욱 Applied Science and Convergence Technology 2002.12 학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2002.04 학술저널

2001

AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Ti / Pt 오믹 접촉
김일호 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2001.10 학술저널
이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)의 에미터 접촉층으로 사용되는 InGaAs에 대한 Pd / Ge / Ti / Pt의 오믹 접촉 특성
김일호 ,  장경욱 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2001.07 학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.02 학술대회자료

초록· 키워드

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AlGaAs/GaAs HBT 에미터 오믹 접촉을 위해 n형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉 특성을 조사하였다. Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉의 경우, 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, 375℃에서 10초 동안 열처리한 경우 5×10^(-3) Ω㎠의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리조건을 425℃, 10초로 변화시킬 경우 2×10^(-6) Ω㎠의 낮은 접촉 비저항을 나타내었다. Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 경우, 450℃까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 400℃, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 3.9×10^(-7) Ω㎠의 접촉 비저항을 나타내었다. 두 오믹 접촉 모두 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하였다. Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au를 AlGaAs/GaAs HBT의 에미터 오믹 접촉으로 사용하여 제작된 HBT 소자의 고주파 특성을 측정한 결과, 차단 주파수가 각각 63.9 ㎓ 및 74.4 ㎓로, 또한 최대공진 주파수가 각각 50.1 ㎓ 및 52.5 ㎓로 우수한 작동특성을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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