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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제3호
발행연도
2001.10
수록면
374 - 379 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

열처리 온도에 따른 InAs 양자점의 특성변화
최현광 ,  이선연 ,  이제원 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2001.10 학술저널
열처리 온도에 따른 InAs 양자점의 특성변화
최현광 ,  전민현 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.07 학술대회자료

초록· 키워드

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MBE를 이용하여 GaAs 위에 InAs 양자점을 성장시키고 Ga, As, In, As의 순서로 셔터를 교대로 열어주는 방식으로 3주기 반복하여 InGaAs 층을 성장시키고 그 위에 다시 GaAs층을 성장시킨 시료(시료번호: QD1)에 대하여 온도를 변화시키며 열처리를 수행한 후 그 광학적 특성을 분석하였다. 기존의 다른 그룹들의 연구결과처럼, InAs 양자점을 성장시키고 GaAs 에피층을 barrier층으로 성장시킨 경우, 열처리 온도가 증가함에 따라 발광피크는 단파장 쪽으로 이동하는 것을 확인하였다. 반면에, InGaAs 층을 포함하고 있는 QD1 시료의 경우, 발광 피크의 위치가 열처리 온도가 600 ℃가 될 때까지는 장파장 쪽으로 이동하다가, 그 이상의 온도에서는 단파장 쪽으로 이동하는 현상을 관찰하였다. 또한, 발광피크의 반치폭도 열처리 온도가 증가하면서 감소하는 경향을 보이다가 다시 증가되는 경향을 보이고 있다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 토의

4. 결론

감사의 글

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