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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
450 - 455 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

InAs 양자점의 크기에 따른 분광학적 특성
권영수 ,  임재영 ,  이철로 외 8명 Applied Science and Convergence Technology 1999.11 학술저널
InAs 양자점의 크기에 따른 분광학적 특성
권영수 ,  임재영 ,  이철로 외 7명 한국진공학회 학술발표회초록집 1999.07 학술대회자료

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MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방법으로 InAS 양자점의 크기를 달리하여 성장한 lnAs 양자점의 구조적 특성과 분광학적 특성을 조사하였다. 구조적 특성은 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 하였으며, 광학적 특성은 PL(Photoluminescence)로 수행하였다. AFM 측정결과 양자점의 밀도는 2 ML에서 최대 값인 1.1×10¹¹/㎠이다. 양자점의 크기가 증가함에 따라 PL 피크는 적색편이를 하고 있었다. 발광피크의 온도의존성을 조사한 결과 온도의 증가에 따라 발광피크는 낮은 에너지로 이동하였으며, 20 K에서 180 K 구간에서는 발광피크의 FWHM(Full Width at Half Maximum) 값은 감소하였으며, 180 K 이상의 온도에서는 온도의 증가에 따라 FWHM도 증가하였다. 한편 Arrehenius-type function으로 구한 활성화 에너지는 InAs 양자점의 크기가 증가함에 따라 증가하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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