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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
심재현 (인하대학교 공과대학 재료공학부) 정수진 (서울대학교 공과대학 재료공학부) 조남희 (인하대학교 공과대학 재료공학부)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제14권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
56 - 61 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2003

PECVD 기법에 의해 제조된 nc-Si : H 박막의 나노 구조적 특성
심재현 ,  정수진 ,  조남희 한국결정학회지 2003.01 학술저널
PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성
심재현 ,  조남희 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성 평가
심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성
심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

2001

PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 제조 및 특성 평가
심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Nanocrystalline hydrogenated silicon (nc-Si : H) thin films were deposited at room temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD): a mixture of SiH₄ and H₂ gas was introduced into the evacuated reaction chamber. When the H₂ gas flow rate was low, the density of Si-H₃ bonds was high in the films. On the other hand, when the H₂ gas flow rate was high, e.g., 100 sccm, a large number of Si-H bonds contributed to the passivation of the surface of the large volume of Si nanocrystallites. The relative fraction of the Si-H₃ and Si-H₂ bonds in the amorphous matrix varied sensitively with the H₂ gas flow rate. The variation was associated with the change in the intensity as well as the wavelength of the main PL peaks, indicating the change in the total volume as well as the size of the Si nanocrystallites in the films.

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