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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제3호
발행연도
2002.9
수록면
183 - 188 (6page)

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지금까지 주로 사용해 오던 TMA(trimethylaluminum, Al(CH₃)₃)와 H₂O를 사용하여 ALD(Atomic Layer Deposition)법으로 증착시킨 Al₂O₃막내의 OH^-기는 Al₂O₃의 우수한 물성을 악화시키는 불순물 역할을 하므로, 이를 개선하기 위하여 본 연구에서는 TMA 와 오존(ozone, O₃)을 이용하여 Al₂O₃막을 증착한 후, 산화제 소스로 H₂O와 O₃을 각각 사용했을 때 그것들이 Al₂O₃막의 유전적 특성에 끼치는 효과에 관하여 비교 조사하였다. XPS 분석결과 O₃를 사용한 Al₂O₃막은 H₂O를 사용할 때와는 다르게 OH^-기가 감소됨을 관찰할 수 있었다. 화학적 안정성(chemical inertness)의 척도가 되는 wet 에칭율 또한 O₃를 사용한 Al₂O₃막의 경우가 더욱 우수하게 나타났다. TiN을 상부전극으로 한 MIS (metal-insulator-silicon) capacitor 구조로 제작된 Al₂O₃막의 경우 H₂O를 사용한 경우 보다 O₃를 사용한 경우에 누설전류밀도가 더 낮았고, 절연특성이 더 우수하였으며, H₂O보다 O₃를 사용했을 때 C-V 전기적이력(hystersis) 곡선의 편차(deviation)가 감소하는 것으로 보아 전기적특성이 더 향상되었음을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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