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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
490 - 495 (6page)

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0.18 ㎛ LOGIC device에서 dual polysilicon를 식각하여 gate를 형성하는 경우, NMOS와 PMOS에서 각각 polysilicon상태에 따라 식각속도가 달라지게 된다. 이 때 gate line의 식각 형상(profile)을 동등하게 조절하기 위하여 Cl₂/HBr 가스 조성비와 전체 압력을 변화시켰으며 back He pressure를 감소시켜 측벽 부착 폴리머를 최적으로 형성하여 88도 이상의 수직한 식각 형상(vertical profile)을 얻을 수 있었다. 또한 lithography를 이용한 gate 식각 마스크 line을 형성 시, 난반사를 방지하기 위하여 Bottom Anti-Reflective Coating(BARC)를 사용하게 되는데, 이러한 BARC식각 시 식각 마스크의 형상과 선택비를 향상시키기 위한 가스, 조성비 최적화 등을 연구한 결과, CF₄/Oc 가스가 적합함을 알 수 있었다. 이 밖에 식각 조건에 따른 plasma damage 특성 평가를 breakdown-voltage(BDV) 측정 중심으로 gate oxide의 antenna effect를 실험한 결과, NO 막 (O₄ 가스를 사용하여 SiO₄막을 형성한 후 N₄+NO 가스를 이용하여 후처리하는 방법)이 wet 막(O₄+H₄ 가스를 이용하여 SiO₄막을 만드는 방법)보다 우수한 특성을 보여 주었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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