유도결합 Cl₂ 및 HBr / Cl₂ 플라즈마를 이용한 STI용 실리콘 Shallow trench 식각공정에 관한 연구

이주훈; 이영준; 김현수; 이주욱; 이정용; 염근영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이주훈 이영준 김현수 이주욱 이정용 염근영

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제3호

발행연도: 1997.8

수록면: 267 - 274 (8page)

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고밀도 유도결합 Cl₂ 및 HBr/Cl₂ 플라즈마를 이용하여 차세대 반도체 집적회로에 사용가능한 STI(Shallow Trench Isolation) 구조에서 trench 식각시 trench etch profile 및 격자손상에 영향을 미치는 공정변수의 효과에 대하여 연구하였다. 식각결과 Cl₂만을 사용한 경우에는 trench 식각공정 동안 화학적 측면식각의 증가로 인하여 등방성 식각이 얻어지고 이는 유도입력 전력이 증가하고 바이어스 전압이 감소함에 따라 이의 경향이 증가하였다. 측면식각의 정도는 Cl₂에 N₂ 및 O₂의 첨가에 따라 감소하여 HBr을 사용한 경우에 있어서는 Br 라디칼이 Cl 라디칼에 비하여 자발적인 실리콘 식각의 민감도가 감소하여 positive angle의 식각형상이 얻어졌으며 HBr내에 Cl₂의 증가에 따라 이방성 식각이 얻어졌다. 물리적인 격자손상을 투과전자현미경으로 관찰한 결과 Cl₂/N₂ 및 HBr을 함유한 식각가스를 사용한 경우에 trench 표면에서 결함이 관찰되었다.

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