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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
207 - 211 (5page)

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전체 압력을 변화시키면서 다이아몬드 박막을 n형 Si(100) 기판 위에 마이크로 웨이브 화학기상증착법으로 증착하였다. 높은 압력으로(225 torr) 증착된 박막은 낮은 압력(60 torr)의 박막보다 다이아몬드 순수도가 향상되었으며 표면도 매끈한 {100}형상이 우세하였다. 다이아몬드 박막의 성장 양식을 알아보기 위하여 낮은 압력(60 torr)과 높은 압력(225 torr)에서 증착된 박막의 미세구조를 투과전자현미경으로 각각 분석하였다. 전체압력이 낮은 경우 박막과 기판의 계면에는 α-SiC의 중간층이 형성되어 있는 것을 확인하였으며 전체압력이 높은 경우의 박막은 evolutionary selection rule에 따라 성장하는 것으로 추론되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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