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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(1)호
발행연도
1999.8
수록면
249 - 255 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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본 논문에서는 carrier gas를 Ar, processing gas를 H₂로 하여 분위기압, 기판온도에 따른 Cu 박막의 특성을 분석하였다. 또한, 분위기압 1 Torr, 기판온도 200℃에서 플라즈마를 이용한 H₂ 전처리를 행하여 이의 영향을 조사하여 보았다. 사용된 전구체는(hfac)Cu(tmvs)이며, 분위기압 0.5~1.5 Torr, 기판온도 140~240℃에서 Cu 박막을 성장시켰다. 시료는 H₂ 플라즈마 전처리를 하고 난 후, in situ로 Cu 박막을 성장시키기 위해 야중 shower head를 사용하였다. 측정은 AES, four-point probe, stylus profiler, SEM, 그리고 uv-visible spectrophotometer를 사용하여 박막의 순도, 비저항, 두께, 표면 미세구조, surface roughness를 조사하였다. Cu 박막의 분석 결과, H₂ 전처리 공정이 Cu 박막의 성장률과 박막의 특성을 향상시킨다는 것을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001263606