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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
234 - 238 (5page)

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전자스핀 공명(ESR)으로 측정된 수소화된 비정질 게르마늄(a-Ge : H)의 D-센터에 대한 스핀밀도의 온도의존성이 77~350 K의 온도범위에서 보고된다. a-Ge : H의 D-센터에 대하여 이 온도범위에서 온도가 증가함에 따라 스핀밀도의 감소가 관측되었으며, 그 결과는 전자상관에너지와 열적 이온화효과에 근거하는 결함 모델들의 예상치와 비교되었다. a-Ge : H에서의 스핀밀도의 감소는 전자상관에너지 모델로서는 이해될 수 없었고, 상온에서의 결함계의 열적 이온화에 기인할 수 있는 것으로 생각된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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