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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제1호
발행연도
2004.3
수록면
14 - 21 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

전자 조사된 p+ - n- 접합 다이오드의 결함 특성과 전기적 성질
엄태종 ,  강승모 ,  김현우 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 2004.03 학술저널

2003

전자 조사된 실리콘 $p^--n^-$ 접합 다이오드의 transient 거동
엄태종 ,  강승모 ,  박현아 외 5명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 p^+ - n 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minoriy carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다.
스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가된 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전지조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 p^+-n 접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결합은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다.
본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 p^+-n 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지울 수 있다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

후기

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