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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제2호
발행연도
2004.6
수록면
72 - 78 (7page)

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TaN막 위에 magnetron sputtering으로 증착시킨 Cu seed 막을 Cu 전해도금을 하기에 앞서 ECR plasma 장치로 전처리 세정하였다. 이때 Cu 막을 200-500℃로 변화시키면서 알곤 또는 질소 분위기에서 RTA(rapid thermal annealing) 방법으로 열처리하였다. Cu seed 막 위에 전해도금법으로 형성한 Cu 막을 열처리했을 때 미세구조와 물리적 특성변화를 XRD(x-ray diffraction), AFM(atomic force microscopy) 분석을 이용하여 조사하였다. 400℃보다 높은 온도에서 재결정이 일어났으며, 열처리 온도를 증가함에 따라 Cu막의 비저항이 감사호가 (111) 우선배향성이 증가하는 경향을 나타냈다. 최소의 비저항과 부드러운 표면 및 (111) 배향성이 뛰어난 Cu막을 얻기 위한 최적의 열처리 조건은 400℃의 질소분위기에서 120초간 RTA처리를 하는 것으로 판단된다. 이 조건하에서 전해도금된 Cu막의 비저항(resistivity)과 표면 거칠기(surface roughness)는 각각 1.98μO-㎝ 및 17.77㎚였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (1)

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[학술지(정기간행물)] - / 2000 / Electron Backscatter Diffraction in Material Science google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001268338