양전자 소멸 분광법을 이용한 Gd₂O₂S : Tb 결함 특성

이종용; 김창규

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이종용 김창규

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제2호

발행연도: 2004.6

수록면: 92 - 98 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (8)

2012

양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘 구조 특성

이종용 Applied Science and Convergence Technology 2012.09 학술저널

2009

양전자소멸 방법으로 X선 조사에 의해 (Ba,Sr)FBr : Eu 형광 물질에 생성되는 결함 측정

이종용 , 배석환 , 김재홍 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.02 학술대회자료

양전자 소멸 측정법에 의한 형광물질의 결함 연구

이종용 , 권준현 , 배석환 한국재료학회 학술발표대회 2009.01 학술대회자료

2006

양전자 소멸 방법에 의한 Gd₂O₂S : Tb screens 결함 특성

이종용 , 김재홍 , 김석규 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

GdOS：Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성

이종용 , 배석환 , 김재홍 외 1명 한국재료학회지 2006.01 학술저널

양전자 소멸 측정법을 이용한 영상 형광체의 결함 연구

이종용 , 김재홍 , 전권수 한국재료학회 학술발표대회 2006.01 학술대회자료

2004

양전자 소멸 분광법을 이용한 Gd₂O₂S : Tb 결함 특성

이종용 , 김창규 Applied Science and Convergence Technology 2004.06 학술저널

1996

양전자 소멸 분광에 의한 실리콘에서의 결함 측정

이종용 , 박태성 , 최선웅 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

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양전자 소멸 분광법으로 시료에서 원자 크기 정도 결함의 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸에서 발생하는 511 KeV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 결함의 정도를 측정하였다.
임상에서 X-선 증감지로 0, 2, 4, 6년 동안 사용한 시료를 실험하였다. 각 시료들에서 측정된 S-변수는 0.4932부터 0.4956 정도의 변화를 보였다. 이에 상응하는 실험 방법으로 같은 시료에 X-선의 에너지와 조사시간 즉 6 MV 및 15 MV의 X-선을 사용하여 3, 6, 9, 그리고 12 Gy의 조사량을 변화시키면서 결함의 정도를 측정 비교하였다.

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이종용

소속기관 한남대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 9 이용수 61

김창규

소속기관 한국진공학회(ASCT)

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 1 이용수 2

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