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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.12
- 수록면
- 222 - 228 (7page)
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2단계 성장법으로 c-plane 사파이어 단결정 기판 위에 metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)법으로 undoped GaN 에피층을 성장시켰다. 고온 성장시 성장 온도 변화가 undoped GaN 에피층의 표면형상과 거칠기, 구조적 결정성, 광학적 성질, 전기적 성질에 미치는 영향을 연구하였다. 수평형 MOCVD 장치를 이용해 압력 300 Torr 저압에서 성장시켰으며, 저온 핵생성층 성장조건은 500℃로 고정시키고, 2단계 성장 온도를 850~1050℃범위로 변화시켰다. 형성된 undoped GaN 에피층을 원자력현미경, 고분해능 X-선회절장치, 광발광측정, 홀 효과 측정 장치 등을 이용하여 분석, 고찰하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
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[학술지(정기간행물)] - / 2003 / Ⅲ-Nitride Semiconductor Materials : 159 ~
[학술지(정기간행물)] - / 2003 / Luminescence and stimulated emission from wide bandgap semiconductors 2 : 46 ~
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Metalorganic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) of Group III Nitrides in Gallium Nitride : 20 ~
[학술지(정기간행물)] - / 1999 / MOVPE of GaN and related compounds many references in there. : 416 ~
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / MOVPE growth of nitrides in Group Ⅲ Nitride Semiconductor Compounds and many references in there. : 87 ~
[학술지(정기간행물)] - / 2003 / Luminescence and stimulated emission from wide bandgap semiconductors 2 : 46 ~
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Metalorganic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) of Group III Nitrides in Gallium Nitride : 20 ~
[학술지(정기간행물)] - / 1999 / MOVPE of GaN and related compounds many references in there. : 416 ~
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