Different crystalline properties of undoped-GaN depending on the facet of patterns fabricated on a sapphire substrate

Kwang Jae Lee ,  Hyun June Kim ,  Dong Woo Pa 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

2단계 MOCVD법에 의해 사파이어 기판 위 성장된 undoped GaN 에피박막의 특성에 미치는 고온성장 온도변화의 영향

장경화 ,  권명석 ,  조성일

Applied Science and Convergence Technology

2005 .12

Optimization of GaN epitaxial growth by low - pressure MOCVD

Chang-Hee Hong ,  Yuen-Ho Choi ,  Bae-Young Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .06

GaN Heteroepitail Layers Grown on Sapphire Substrate with Various Growth Temperature by MOCVD

Chang ,  Kyung-Hwa ,  Kwon 외 3명

한국결정학회 학술연구발표회

2005 .01

non-polar a-plane GaN growth on r-plane sapphire substrate by MOCVD

Ji-su Son ,  Kwang-Hyun Baek ,  Ji Hoon Kim 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Structural study of a GaN layer grown on(001)GaAs by MOCVD

배인태 ,  성태연 ,  박용주 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

Effect of nitridation of sapphire in NH₃ ambient on GaN grown by MOCVD

송근만 ,  김동준 ,  문용태 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .02

Defect States Related with V_Ga and Ga_Sb in MBE-grown undoped GaSb Epitaxial Layers

김준오 ,  이상준 ,  김창수 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

The effect of misorientation-angle dependence of p-GaN layers grown on r-plane sapphire substrates

손지수 ,  김재범 ,  서용곤 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Pretreatment method by selective ion-implantation for epitaxial lateral overgrowth of GaN on patterned sapphire substrate

Dae-Sik KIM ,  Woo Seop JEONG ,  Hyungduk KOH 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Free exciton transitions and Varshni′s coeffecients for GaN epitaxial layers grown by horizontal LP - MOCVD

Joo in Lee ,  Jae-Young Leem ,  J. S. Son 외 1명

Journal of Korean Vacuum Science & Technology

2000 .10

Nanoindentation studies of epitaxial ZnO thin films on (0001) sapphire substrates

Jun-Hee Hahn ,  R. Navamathavan ,  Kyoung-Kook Kim 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2003 .02

ZnO films grown on GaN/sapphire substrates by pulsed laser deposition

Jooyoung Suh ,  Hooyoung Song ,  Myoung Jun Shin 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Improved MOCVD growth of GaN epitaxial layers on nano-pillar patterned Si(111)substrates fabricated using a self-aligned Pt nano-droplet mask

Jong Ock KIM ,  Kee Young LIM

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Nitridation effect of GaN epitaxial layer grown by MBE

박창수 ,  조학동 ,  박승호 외 9명

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .07

Enhancement of GaN crystallinity by using H₂ / N₂ plasma exposure to sapphire substrate

Jaekyun Kim ,  Young Ju Pa ,  k 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Characteristics of a-plane GaN buffer layers on r-plane sapphire substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition

송후영 ,  김은규 ,  김재범 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08

Growth of high quality GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate

Jeonghwan JANG ,  Daeyoung MOON ,  Yongjo PARK 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

그래핀 코팅층을 이용한 고품위 질화물계 박막 성장

최재경 ,  허재훈 ,  김성대 외 11명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .08

Characteristics of GaN epitaxial layer grown on 6H - SiC(0001) by RF - Molecular Beam Epitaxy

원상현 ,  정관수 ,  조학동 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .02