Effects of total gas velocity on properties of undoped GaN epitaxial layer grown on sapphire (0001) substrate by MOCVD

K. Chang ,  M.S. Kwon ,  S.I. Cho 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2005 .02

non-polar a-plane GaN growth on r-plane sapphire substrate by MOCVD

Ji-su Son ,  Kwang-Hyun Baek ,  Ji Hoon Kim 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Structural study of a GaN layer grown on(001)GaAs by MOCVD

배인태 ,  성태연 ,  박용주 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

Effect of nitridation of sapphire in NH₃ ambient on GaN grown by MOCVD

송근만 ,  김동준 ,  문용태 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .02

The effect of misorientation-angle dependence of p-GaN layers grown on r-plane sapphire substrates

손지수 ,  김재범 ,  서용곤 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Growth of high quality GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate

Jeonghwan JANG ,  Daeyoung MOON ,  Yongjo PARK 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

ZnO films grown on GaN/sapphire substrates by pulsed laser deposition

Jooyoung Suh ,  Hooyoung Song ,  Myoung Jun Shin 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Enhancement of GaN crystallinity by using H₂ / N₂ plasma exposure to sapphire substrate

Jaekyun Kim ,  Young Ju Pa ,  k 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Characteristics of a-plane GaN buffer layers on r-plane sapphire substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition

송후영 ,  김은규 ,  김재범 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08

Optimization of GaN epitaxial growth by low - pressure MOCVD

Chang-Hee Hong ,  Yuen-Ho Choi ,  Bae-Young Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .06

Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교

신희연 ,  이정욱 ,  정성훈 외 2명

Applied Science and Convergence Technology

2002 .04

Fabrication of the catalyst free GaN nanorods on Si grown by MOCVD

Suk-min Ko ,  Yong-Hoon Cho

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

The effect of nucleation layer growth rate on structural and electrical properties of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)

김동준 ,  문용태 ,  안광순 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .07

Effect of growth temperature on the properties of AlGaN grown by MOCVD

김동준 ,  문용태 ,  송근만 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .02

Low-temperature growth of wafer-scale MoS₂ by MOCVD

Jihun MUN ,  Chegal WON ,  Jeong Won KIM 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Fabrication of GaN Ring Structure with Broad-band Emission Using MOCVD and Wet Etching Techniques

Young-Chul Sim ,  Seung-Hyuk Lim ,  Yong-Hoon Cho

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

Different crystalline properties of undoped-GaN depending on the facet of patterns fabricated on a sapphire substrate

Kwang Jae Lee ,  Hyun June Kim ,  Dong Woo Pa 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

2단계 MOCVD법에 의해 사파이어 기판 위 성장된 undoped GaN 에피박막의 특성에 미치는 고온성장 온도변화의 영향

장경화 ,  권명석 ,  조성일

Applied Science and Convergence Technology

2005 .12

MOCVD growth of GaN and InGaN in a rotating - disk reactor

문용태 ,  김동준 ,  안광순 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

Growth of GaN on Sapphire and Amorphous Al₂O₃ on Si by Reactive Ion Molecular Beam.

김경현 ,  백민 ,  최규석 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .07