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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제14권 제4호
발행연도
2005.12
수록면
258 - 262 (5page)

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본 연구는 실리콘 질화막 박막을 덮개층으로 사용하여 탄소나노튜브를 성장하고, 성장된 나노튜브의 전자방출 특성을 조사하였다. 탄소 나노튜브는 triode PE-CVD 장치에 의해 성장되었으며, 탄소나노튜브의 밀도는 실리콘 질화막의 두께에 따라 크게 변하였다. 탄소 나노튜브의 밀도가 10⁴/㎠에서 전자방출 특성이 가장 우수하였으며, 이때 전자방출특성은 문턱전계 1.2 V/㎛, 전류밀도는 3.6 V/㎛의 전기장에서 0.17 mA/㎠으로 측정 되었다. 또한, 진공 챔버에서 질소(N₂) 분위기 하에서 전자방출 안정성을 조사하였으며, 탄소나노튜브의 밀도가 감소함에 따라 전자방출 안정성이 향상되었고, 탄소나노튜브의 밀도가 10⁴/㎠ 인 경우 1×10-⁴A/㎠ 이상의 전류가 흐르는 특성을 보였으며, 이 경우 1×10^(-5) Torr의 압력하에서 방출 전류의 안정도는 최소인 2%를 유지하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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